半導體材料的導電性對某些微量雜質極敏感。純度很高的半導體材料稱為本征半導體,常溫下其電阻率很高,是電的不良導體。在高純半導體材料中摻入適當雜質后,由于雜質原子提供導電載流子,使材料的電阻率大為降低。這種摻雜半導體常稱為雜質半導體。雜質半導體靠導帶電子導電的稱N型半導體,靠價帶空穴導電的稱P型半導體。...
晶態和非晶態主要區別于原子排列是否具有長程序。非晶態半導體的性能控制難,隨著技術的發明,非晶態半導體開始使用。這一制作工序簡單,主要用于工程類,在光吸收方面有很好的效果,主要運用到太陽能電池和液晶顯示屏中。?(5)本征半導體:不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本征半導體。...
其中應力測量技術的空間分辨率可優于20nm,為微納尺度力學測量的發展提供了重要的方法;非接觸性的局域電學性質測量技術,超越了傳統電學測量方法的思想框架,實現了無外場驅動的電荷密度分布、電場分布等本征電學性質表征、以及半導體異質結構整個空間區域的能帶構造;結構相的測定技術,使納米微區材料的晶體結構相識別成為可能;半導體微區導電類型測定技術,延續了非接觸性電學測量的優點,并且能夠靈活地探測分析復雜光電器件結構中不同區域的導電類型分布...
因此,本征光電導體的響應長波限λc為 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c為光速。本征光電導材料的長波限受禁帶寬度的限制。 在60年代初以前還沒有研制出適用的窄禁帶寬度的半導體材料,因而人們利用非本征光電導效應。Ge、Si等材料的禁帶中存在各種深度的雜質能級,照射的光子能量只要等于或大于雜質能級的離化能,就能夠產生光生自由電子或自由空穴。...
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