<td id="ccaac"></td>

<table id="ccaac"><rt id="ccaac"></rt></table>

KS C IEC 60748-2-7-2002(2022)
半導體器件集成電路第2部分:數字集成電路第7節:集成電路熔斷可編程雙極只讀存儲器空白詳細規范

Semiconductor devices－Integrated circuits－Part 2：Digital integrated circuits Section 7：Blank detail specification for integrated circuits fusible－link programmable bipolar read－only memories

標準號: KS C IEC 60748-2-7-2002(2022)
發布: 2002年
發布單位: 韓國科技標準局
當前最新: KS C IEC 60748-2-7-2002(2022)

KS C IEC 60748-2-7-2002(2022)相似標準

KS C IEC 60748-2-7-2022 半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第7節：集成電路熔斷線可編程雙極只讀存儲器的空白詳細規范 OS GSO IEC 60748-2-7:2014 半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第7節：集成電路熔絲可編程雙極只讀存儲器的空白詳細規范 KS C IEC 60748-2-7-2002(2017) 半導體器件集成電路第2部分:數字集成電路第7節:集成電路空白詳細規范熔絲連接可編程雙極只讀存儲器 IEC 60748-2-7:1992 半導體器件集成電路 - 第2部分:數字集成電路 - 第7部分:集成電路可熔鏈可編程雙極只讀存儲器的空白詳細規范 GB/T 17574.9-2006 半導體器件.集成電路.第2-9部分:數字集成電路.紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲器空白詳細規范

推薦

關于批準發布《公共信息圖形符號第1部分：通用符號》等583項推薦性國家標準和6項國家標準修改單的公告

半導體器件第16-2部分：微波集成電路 預分頻器 半導體器件第16-2部分：微波集成電路 預分頻器 2023-09-07 100 GB/...

半導體 | 金屬化工藝

到20世紀70年代中期，對于可編程只讀存儲器(PROM),主要的金屬淀積是真空蒸發鋁、黃金和熔絲金屬。多層金屬和合金系統的出現，以及更好的臺階覆蓋的需要，導致作為超大規模集成電路(VLSI)制作標準的淀積技術的濺射的引人。難熔金屬的使用已經將第二種技術--化學氣相淀積法(CVD),添加到金屬化工藝師的方法庫中。隨著金屬電鍍的雙鑲嵌工藝的開發，采用銅作為一種主要的金屬。...

常見的有源電子器件

1、分立器件　　（1）雙極型晶體（BipolarTransistor），一般簡稱三極管，bjt 　　（2）場效應晶體管（FieldEffectiveTransistor）　　（3）晶閘管（Thyristor），也叫可控硅　　（4）半導體電阻與——用集成技術制造的電阻和電容，用于集成電路中　　2、模擬集成電路器件　　模擬集成電路器件是用來處理隨時間連續變化的模擬電壓或電流信號的集成電路器件...

Copyright ?2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP備07018254號京公網安備1101085018 電信與信息服務業務經營許可證：京ICP證110310號

<td id="ccaac"></td>

<table id="ccaac"><rt id="ccaac"></rt></table>