KS C IEC 60747-7-2-2006(2021)
半導體器件分立器件第7部分:雙極晶體管第二節:低頻放大用外殼額定雙極晶體管空白詳細規范

Semiconductor devices－Discrete devices－Part 7：Bipolar transistors－Section Two：Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification

作廢

標準號: KS C IEC 60747-7-2-2006(2021)
發布: 2006年
發布單位: 韓國科技標準局
當前最新: KS C IEC 60747-7-2-2006(2021)

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半導體器件有哪些分類

現在被稱作半導體器件的種類如下所示。按照其制造技術可分為分立器件半導體、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、存儲器等大類，一般來說這些還會被再分成小類。此外，IC除了在制造技術上的分類以外，還有以應用領域、設計方法等進行分類，最近雖然不常用，但還有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。...

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當第一階段達到滿負荷時，旗下功率半導體產能將是2021財年的2.5倍（ 200和300毫米晶圓制造能力的總和，相當于200毫米）。　　功率器件是管理和降低各種電子設備的功耗以及實現碳中和社會的重要組件。當前汽車電氣化和工業設備自動化的需求正在擴大，對低壓MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和IGBT（絕緣柵雙極晶體管）等器件的需求非常旺盛。　　...

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