圖4 用于詳細描述圖3a和e的截面：(a) 第Ⅰ部分GD-TD平面， (b) 第Ⅰ部分TD-BD平面， (c) 第V部分TD-BD平面， (d) 第V部分GD-BD平面?圖5 功能梯度樣品的缺陷體積分數結 論CT掃描重建結果如圖3和圖4所示，分級試樣的外部形態和內部缺陷隨第一步初始激光功率的變化而變化。在較低的初始激光功率下，形成了位于層之間的粗糙表面和平面不規則缺陷。...
晶圓直徑增大對不完整芯片比例的影響增大的晶圓直徑同時對晶圓電測良品率有積極的影響。下圖中給出了兩片晶圓，它們直徑相同但是芯片的尺寸不同。我們注意到較小尺寸的晶圓表面有很大一部分被不完整的芯片所覆蓋，這些芯片不能工作。如果其他條件相同,較大尺寸的晶圓憑借其上更多數量和更大比例的完整芯片將擁有較高的良品率。...
圖2是不同退火工藝的晶圓，在布魯克JVSensus600機器上測量X射線衍射成像的結果。??在plateau 退火條件下的晶圓邊緣產生了高密度缺陷，導致了晶圓邊緣的應變集中區。每條缺陷對應于每條滑移帶。這些滑移帶都是取向，對應于四個傾斜的{111}滑移面上1/2的柏格斯矢量。通過選區高分辨率模式的XRDI測量結果可發現更小的滑移帶，也都是對應于取向。...
非缺陷磁痕一般成直線狀，且位置固定，而偽磁痕不是因漏磁場形成的，偽磁痕主要由工件表面的氧化皮、銹蝕以及油漆斑點的邊緣、工件表面不淸潔如存在油潰或纖維等贓物、磁懸液濃度過大容易粘附磁粉而形成磁痕，一般非缺陷磁痕和偽磁痕稱為假磁痕。? X射線探傷機操作者在檢測的過程中，應能將真假磁痕識別出來。...
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