對于導電性能不好的樣品如半導體材料,絕緣體薄膜,在電子束的作用下,其表面會產生一定的負電荷積累,這就是俄歇電子能譜中的荷電效應.樣品表面荷電相當于給表面自由的俄歇電子增加了一定的額外電壓, 使得測得的俄歇動能比正常的要高.在俄歇電子能譜中,由于電子束的束流密度很高,樣品荷電是一個很嚴重的問題.有些導電性不好的樣品,經常因為荷電嚴重而不能獲得俄歇譜.但由于高能電子的穿透能力以及樣品表面二次電子的發射作用...
俄歇電子效應對表面微量元素有很高的靈敏度,能探測周期表中氦以后的所有元素,而且分析速度快。應用俄歇電子譜可以對材料進行成分定性、定量分析。雖然X射線、離子等激發源也可用來激發俄歇電子,但由于電子便于產生高束流、容易聚焦和偏轉,故通常采用電子束作為俄歇電子的激發源。為了激發俄歇躍遷,在常規AES中產生初始電離所需的入射電子能量在1~30 keV。...
這個躍遷過程可能是無輻射躍遷,所釋放出的能量使殼層 L2,3 上的電子激發成自由態,這種二次電子稱為俄歇電子(見圖)。上述過程稱為俄歇過程,由法國物理學家P.-V.俄歇于1925 年發現。俄歇電子數按能量的統計分布稱俄歇電子譜,每種元素有各自的特征俄歇電子譜,故可用來決定化學成分。俄歇電子譜常被用來分析和鑒定固體表面的吸附層、雜質偏析及催化機制研究等。...
俄歇電子能譜(Auger electron spectroscopy,簡稱AES),是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子,這一連串事件稱為俄歇效應,而逃脫出來的電子稱為俄歇電子。...
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