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    SAE AS6171/11-2016
    通過設計恢復測試方法檢測可疑/假冒 EEE 部件的技術

    Techniques for Suspect/Counterfeit EEE Parts Detection by Design Recovery Test Methods


    標準號
    SAE AS6171/11-2016
    發布
    2016年
    總頁數
    10頁
    發布單位
    美國機動車工程師協會
    當前最新
    SAE AS6171/11-2016
     
     
    引用標準
    ANSI/ESD S20.20 IPC/JEDEC J-STD-033
     
     
    本體
    掃描電子顯微鏡
    適用范圍
    該方法概述了與應用設計恢復檢測假冒電子零件相關的要求@能力@和限制,包括: 操作員培訓;樣品制備;成像技術;數據解釋;設計/功能匹配;設備維護和;數據報告。該方法主要針對通過電路延遲和掃描電子顯微鏡或光學顯微鏡成像進行的分析;然而,許多概念適用于其他顯微鏡和探測技術來恢復設計數據。該方法并不是為了制造設備的副本,而是為了比較圖像或恢復設計以確定真實性。如果合同中引用了 AS6171/11,則基礎文件@ AS6171 一般要求也應適用。
    設計恢復
    Design Recovery
    用于檢測假冒電子零件的方法,包括樣品制備、成像技術和數據解釋等步驟。
    微電路
    Microcircuit
    復雜的多層結構,包括金屬連接、電介質和半導體層。
    掃描電子顯微鏡
    Scanning Electron Microscope (SEM)
    用于捕獲電路設計布局的成像設備。

    SAE AS6171/11-2016 中提到的儀器設備

    化學機械拋光機

    CMP
    用于去除電路層的設備,適用于現代平面化電路。
    掃描電子顯微鏡

    SEM
    用于捕獲電路設計布局的成像設備,具有高分辨率。

    SAE AS6171/11-2016相似標準


    SAE AS6171/11-2016系列標準





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