公告顯示,7月7日,雙方在昆明高新區云南國家鍺材料基地內舉行“云南臨滄鑫圓鍺業股份有限公司一中國科學院半導體研究所光電半導體材料聯合實驗室”揭牌儀式,通過建立聯合實驗室開展相關合作研究和技術開發,就重點系統研究解決產業化中低成本單晶生長爐的設計和制造技術,研究開發高產能大直徑低位錯密度單晶生長關鍵工藝技術、高平整度開盒即用拋光晶片加工關鍵技術、光電半導體單晶片批量生產中質量和成本控制技術進行合作。 ...
經CNAS認證的第三方機構檢測,深圳大學制備的高純鍺單晶達到13N純度要求,解決了鍺單晶卡脖子問題。基于深圳大學自制高純鍺單晶,由中國原子能科學研究院制備的高純鍺探測器目前已經在中國輻射防護研究院、中國船舶重工集團公司第七一九研究所與武漢大學開展了應用測試,達到國際同類制品的標準。 ...
圖1 缺陷對雜質的吸收用偏光金相顯微鏡還可以看出單晶硅片的分布規律:邊緣的缺陷密度小,中心的缺陷密度大。可以從圖2和圖3兩幅圖中明顯的看出。??? ?圖2 單晶硅片中心缺陷分布??? ???? 圖3 單晶硅片邊緣缺陷分布在實驗過程中拍攝了一組比較典型的位錯缺陷圖片。對于位錯來說,不同晶面上的位錯坑的形態不一樣。...
為了提高小尺寸材料的變形能力,西安交大材料學院微納中心碩士生丁明帥,在導師單智偉教授和韓衛忠教授的指導下,借助原位納米力學技術,通過高溫氦離子注入在金屬銅中形成平均尺寸為6.6納米的高密度氦泡,隨后加工出亞微米尺度試樣進行力學測試,發現單晶銅內部的納米氦泡不僅是位錯的可剪切障礙物,能有效減緩位錯運動,同時還是活躍的內部位錯源,使變形時位錯保持有效增值,進而產生更加均勻和穩定的變形。...
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