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微波單片可集成小信號接收鏈路和發射鏈路部分電路 , 接收鏈路包括低噪聲放大器、混頻、增益控制等 , 甚至包括高性能模擬 – 數字轉換器 (analog-to-digital converter, ADC) 等 , 發射鏈路包括信號產生、混頻、功率放大器等 . 不同的半導體材料具有不同的本征參數 , 有著不同的用途 . 幾種半導體材料特征參數如表 3 所示 ....
DAHI的最終目標是建立一個可制造、可獲得代工技術，可將多種器件和復雜硅架構通過單片異質集成的方式集成到共同的襯底平臺上。這樣的集成將為美軍提供擁有更高性能的微系統。DARPA在異質集成方面的努力始于“硅基化合物半導體材料”（COSMOS）項目。COSMOS項目連同“電-光異質集成”（E-PHI）項目和“DAHI代工技術”項目同是DAHI項目的組成部分。...
第16-10部分：單片微波集成電路技術可接收程序 半導體器件 第16-10部分：單片微波集成電路技術可接收程序 2024-01-01 99 GB/T 20870.2-2023...
與元素周期表內的第III至第V類半導體材料一樣，如砷化鎵（GaAs）和磷化銦(InP)一樣，GaN半導體比硅和碳化硅(SiC)具有高的多的電子遷移率。GaN還驗證了極端的物理穩固性、輻射電阻、高壓生存能力，以及非常高的熱穩定性。因此，同其他固態技術相比，GaN功率電子器件在PA應用方面展現了驚人的功率密度和高功率附加效率。...
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