BS IEC 63229:2021
半導體器件 碳化硅襯底氮化鎵外延膜缺陷分類

Semiconductor devices. Classification of defects in gallium nitride epitaxial film on silicon carbide substrate

標準號

BS IEC 63229:2021

發布

2023年

發布單位

英國標準學會

當前最新

BS IEC 63229:2021

 

 

介紹

該標準規定了用于評估碳化硅（SiC）襯底上生長的氮化鎵（GaN）外延薄膜缺陷的方法和分類體系。它詳細描述了如何通過顯微鏡和其他相關技術來識別并記錄各種類型的缺陷，包括但不限于晶體結構中的位錯、空洞、裂紋以及表面粗糙度等。此外，該標準還提供了評估這些缺陷嚴重程度的準則，并為確保產品質量提供了一致性和可重復性的方法。

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