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通過對單晶硅片的化學腐蝕，用顯微鏡觀察各種典型的缺陷，發現不同晶向上的腐蝕坑的形狀有很大的不同：面腐蝕坑呈三角行，面腐蝕坑呈四邊行，面腐蝕坑呈四面體行等；同時發現不同的腐蝕時間對同一晶向上的腐蝕坑也有影響，如面在不同的腐蝕時間腐蝕坑可以是三角形也可以是圓形；顯微鏡照片還可以發現單晶硅片中心的缺陷密度小，邊緣的缺陷密度大。（本文選自“歐波同”征文大賽文章，未經允許，不得轉載！）...
摘要：?單晶硅材料可以用于制造太陽能電池、半導體器件等，由于其應用領域的特殊性要求其純度達到99.9999% 甚至更高。在單晶硅生產過程中由原料及方法等因素難以避免的引入了碳、氧等雜質，直接影響了單晶硅的性能。因而需對單晶硅材料中的氧碳含量進行控制。...
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