測試參數 | 測試方法 | 關鍵設備 | 精度要求 |
---|---|---|---|
電壓駐波比 | 回波損耗法/網絡分析儀法 | 方向橋、網絡分析儀 | 方向性≥30dB |
插入損耗 | 功率比值法 | 隔離器、衰減器 | ±0.2dB |
開關時間 | 時域波形分析法 | 高速示波器 | 1ns分辨率 |
標準規定兩種測試方法:傳統回波損耗法需通過公式VSWR=(1+10-Lr/20)/(1-10-Lr/20)換算,而網絡分析儀可直接讀取。測試時需注意:
定義四個關鍵時間參數:
標準推薦采用采樣示波器或功率分析儀,要求檢波器視頻帶寬≥5倍信號帶寬。
仲裁試驗需嚴格控制環境條件:
特別注意:靜電敏感器件操作需符合GB/T 17573-1998 IX篇規范。
相比早期軍用標準,GJB 9148-2017主要升級:
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本標準規定了微波開關 (以下簡稱 “開關”) 電參數的測試原理、測試框圖和測試程序。 本標準適用于微波 PIN 管和場效應管 (FET) 制造的開關, 其他微波有源開關也可以參照使用。
原理 微波是一種高頻電磁波,微波透射介質時產生的衰減、相位改變主要由介質的介電常數、介質損耗角正切值決定。水是一種極性分子,水的介電常數和介質損耗角正切值都遠高于一般介質。通常情況,含水介質的介電常數和損耗角正切值的大小主要由它的水分含量決定。微波從位于輸送皮帶下方的UM微波水分儀C型...
用 E5071C 矢量網絡分析儀對低噪聲放大器進行噪聲系數曲線和增益曲線測試,測試結果如圖 4 和圖 5 所示。 圖 4 表面封裝前后 Ku 頻段低噪聲放大器的噪聲系數曲線 圖 5 表面封裝前后 Ku 頻段低噪聲放大器的增益曲線 ? 從圖 4 和圖 5 可以看出...
對微波混合集成電路射頻裸芯片表面封裝工藝進行了研究。研究結果發現,通過對關鍵工藝點的控制,具有良好性能的 EGC-1700 無色防潮保護涂層可以實現在 X 波段的應用。對射頻裸芯片的表面采用 EGC-1700 無色防潮保護涂層涂覆的低噪聲放大器進行了濕熱試驗和高低溫貯存試驗,發現其關鍵...
ADF4371VCO 的基波頻率范圍為 4GHz 至 8GHz,這是考慮了制造設備所使用的 SiGe 工藝的 VCO 相位噪聲性能的最佳點。為了生成更高頻率,我們使用了倍頻器。通過重新設計 VCO 來實現雙倍頻率范圍存在一定問題,因為噪聲的降低幅度高于通過擴展 VCO 的頻率范圍所...
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