ASTM F1530-02
測量硅晶圓平坦度、厚度及厚度變化的自動非接觸掃描測試方法
Automatic non-contact scanning test method for measuring silicon wafer flatness, thickness and thickness variation
- 標準號
- ASTM F1530-02 中文首頁
- 發布
- 2002年
- 總頁數
- 12頁
- 發布單位
- 美國材料與試驗協會
- 當前最新
- ASTM F1530-02
- 引用標準
- ASTM F1241 ASTM F1390
- 本體
- 厚度
- 適用范圍
- 1.1 本測試方法采用非接觸式、非破壞性程序來確定清潔、干燥的半導體晶圓的厚度和平整度，無需任何物理參考。
1.2 本測試方法適用于直徑為 50 毫米或以上、厚度約為 100 微米（0.004 英寸）或以上的晶圓，與厚度變化和表面光潔度以及晶圓形狀無關。
1.3 該測試方法測量當水的背面理想平坦時（如將其拉到理想的干凈、平坦的卡盤上時），晶片正面表面相對于指定參考平面的平坦度。它不測量晶圓的自由形狀。
1.4 由于沒有使用卡盤作為測量參考，該測試方法對晶圓背面的微觀顆粒相對不敏感。
1.5 以 SI 單位表示的數值應被視為標準。括號中給出的值僅供參考。
1.6 本標準并不旨在解決與其使用相關的所有安全問題（如果有）。本標準的使用者有責任在使用前建立適當的安全和健康實踐并確定監管限制的適用性。
ASTM F1530-02 中提到的儀器設備
| 測量設備 符合 ASTM F 1530 標準要求 | 包括晶圓夾持裝置、多軸傳輸機制、探針組件和系統控制器/計算機。 |