SJ/T 10829-1996由行業標準-電子 CN-SJ 發布于 ,于 2010-02-25 廢止。
SJ/T 10829-1996 在中國標準分類中歸屬于: L56 半導體集成電路,在國際標準分類中歸屬于: 31.200 集成電路、微電子學。
SJ/T 10829-1996 電子元器件詳細規范 半導體集成電路CJ0453型HTL雙外圍正或驅動器的最新版本是哪一版?
最新版本是 SJ/T 10829-1996 。
文中提出了用于半導體/絕緣體接口調制的策略,并將其應用于在訪問驅動器屬性或尋址時高性能的非遲滯選擇晶體管中。結果表明,在所得到的的選擇晶體管中,DPA的空穴遷移率高達3.81cm2V-1s-1(平均),同時PDI-FCN2的電子遷移率為0.124cm2V-1s-1(平均)。本文的工作證明了該技術在有機鐵電基像素化存儲模塊制造中的潛力。...
這些電子元器件與傳統電子技術的元器件沒有本質差別,部分元器件采用無機半導體材料(如硅),由于其材質較脆,在變形過程中易于發生脆斷,所以它們通常不直接分布在電路板上,而是先安放在剛性的微胞元島(cell island)上,然后承載元器件的微胞元島再分布在柔性基板上,這樣做的好處在于有利于保護電子元器件,避免其在彎曲過程中損壞。...
?電話:010-58330898 手機:18501361766微信:tech99999 郵箱:qianyanjun@techxcope.com來源:芯師爺功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心,是電子產品的基礎元器件之一,在產業電子化升級過程中,越來越得到重視與應用。本篇報告將詳細介紹功率半導體的器件類型、應用市場、行業格局以及 SiC、GaN 的發展情況,挖掘功率半導體潛在的投資機會。?...
1.2.3? CFETCFET也稱三維堆疊CMOS(Stacked CMOS),可將N型金屬氧化物半導體(N-type Metal-Oxide-Semiconductor, NMOS)和P型金屬氧化物半導體(P-type Metal-Oxide-Semiconductor, PMOS)集成于同一投影位置的上、下兩層,圖10為CFET結構示意圖。...
Copyright ?2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP備07018254號 京公網安備1101085018 電信與信息服務業務經營許可證:京ICP證110310號