SJ 1989-1981
CS19型低頻場效應半導體對管
Detail specification for Nchannel junction pair field-effect transistors,Type CS19
2010-02
- 標準號
- SJ 1989-1981
- 發布
- 1982年
- 發布單位
- 行業標準-電子
- 當前最新
- SJ 1989-1981
SJ 1989-1981相似標準
推薦
二極管和三極管的命名原則
S－表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A－PNP型高頻管、B－PNP型低頻管、C－NPN型高頻管、D－NPN型低頻管、F－P控制極可控硅、G－N控制極可控硅、H－N基極單結晶體管、J－P溝道場效應管、K－N 溝道場效應管、M－雙向可控硅。第四部分：用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。...
詳解：MOS管和IGBT的區別
MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導體場效應晶體管，由于這種場效應管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應管。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。MOSFET種類與電路符號有的MOSFET內部會有個二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續流二極管。...
化學所在有機場效應晶體管研究方面取得系列進展
相對于p-型有機半導體而言，n-型有機半導體還存在遷移率低和穩定性差的缺點，研究人員結合他們自己的研究結果，總結了最近5年n-型半導體在性能和分子設計上的發展，分析了目前阻礙n-型場效應晶體管研究發展的因素，重點從晶體管的結構與組成，分子設計和薄膜生長條件等方面，提出了解決方法以期突破n-型場效應晶體管目前研究的瓶頸。論文以Progress Report的形式發表在Adv....
我國科研人員為氧化鎵晶體管找到新結構方案
作為新一代功率半導體材料，氧化鎵的p型摻雜目前尚未解決，氧化鎵場效應晶體管面臨著增強型模式難以實現和功率品質因數難以提升等問題，因此急需設計新結構氧化鎵垂直型晶體管。 研究人員分別采用氧氣氛圍退火和氮離子注入工藝制備了器件的電流阻擋層，并配合柵槽刻蝕工藝研制出了不需P型摻雜技術的氧化鎵垂直溝槽場效應晶體管結構。...