更新時間： 2024-02-21 02:12:22
摘要： 單晶硅材料可以用于制造太陽能電池、半導體器件等，由于其應用領域的特殊性要求其純度達到99.9999% 甚至更高。在單晶硅生產過程中由原料及方法等因素難以避免的引入了碳、氧等雜質，直接影響了單晶硅的性能。因而需對單晶硅材料中
n1和n2表示每種材料的折射率，θ1和θ2是光線在每種材料中傳播與表面法線形成的夾角（逆時針方向），并假設硅的折射率n ＝ 3．44，空氣／真空的折射率n ＝ 1。基于上述幾何假設，預期視野角度FFOV ＝ 80°－ 82°。然后開始腔體
1．1儀器與原料美國Nicolet公司傅里葉變換紅外光譜儀:DTGS檢測器,OMNIC操作軟件,光譜范圍4000～400cm-1,分辨率4cm-1,掃描累加次數64次SHB2III循環水式多用真空泵;流管紅外觀測室:塑料容器,容積約2L,兩
中國科大撥開硅材料“光解水制氫”機制的迷霧 集成濾光窗的 MEMS 紅外傳感器電子封裝（一） 立方氮化硼薄膜的制備及其光學應用展望 【解密】100ppm的低成本“檢測神器” 讓甲烷泄露無所遁形！ 紅外光譜在珠寶玉石中的應用 水稻莖桿性狀和硅含量對抗壓強度的影響 短波紅外可擴展譜段產品大盤點 GB／T 8427耐人工光色牢度 中國古代紙質文物的無損化學分析 國標委發布1537項擬立項項目意見，涉及多種檢測儀器 國家標準委擬立項266項標準 20項涉儀器與化學檢測 人工氣候培養箱的2個關鍵技術問題 多光譜掃描儀的結構原理