日本電子發布新一代FE-EPMA
分析測試百科網訊 近日，日本電子株式會社發布了肖特基式場發射電子探針顯微分析儀(EPMA)JXA-8530F Plus。
JXA-8530FPlus
產品研發背景
日本電子在2003年推出了世界上第一臺商業化的FE-EPMA，JXA-8500F。一直被高度重視的FE-EPMA被應用于金屬、材料、地質行業及學術界等各個領域。
JXA-8530FPlus是第三代FE-EPMA,通過一種改進的電子光學系統增強了其分析和成像能力。肖基特熱場發射槍結合新的軟件提供了高通量。尖端的FE-EPMA也附帶可拓展的多功能室。合并了多種功能以后，JXA-8530FPlus可以滿足各種用戶對于保持高穩定性的要求，從而使得EPMA可以得到更高的分辨率。
主要特征
肖特基熱場發射電子探針Plus版本
肖特基熱場發射電子探針Plus版本優化了角電流密度,允許對2μA或更高的探針電流進行分析，甚至在通過自動調整為正確收斂角的分析條件下，保證得到的二次電子圖像已得到改進。
先進的軟件
先進的Microsoft Windows?基于豐富的應用系統,包括:
1)微量元素分析程序簡單：通過添加5個光譜儀的收集來的數據來優化分析微量元素；
2)基于主要成分自動化的創建階段圖像；
3)自動化WDS的非表面分析程序對不規則表面樣品的分析。
靈活的WDS配置
可以選擇各種x射線光譜儀(WDS):羅蘭圓半徑的140毫米(140 r)或140毫米(100 r),2水晶或4水晶配置和標準或大尺寸晶體的混合體。
XCE(2 xtl) X射線光譜儀,FCS(4 xtl)X射線光譜儀和L(大2 xtl)x射線光譜儀140 r寬光譜范圍,提供優越的波長分辨率和峰背比率。
100 r的H型x射線光譜儀提供高x射線強度。用戶可以選擇從這些光譜儀取決于需求。
WDS/EDS系統相結合
JXA-8530FPlus附帶JEOL 30 mm2硅漂移探測器(SDD)。高計數率SDD以及一個原位可變孔徑可以EDS分析改進算法的條件。EDS光譜、地圖和線掃描和改進算法可以同時獲得數據。
多用途室
jxa-8530 fplus配有大量可擴展樣品室,樣品室交換,使您能夠集成各種可選附件室。包括:
電子背散射衍射系統(EBSD)
陰極發光檢測器(全色、單色、彩色高光譜)
軟x射線發射光譜儀
空氣分離器
高蝕刻率離子源
強大清潔的真空系統
JXA-8530FPlus采用一個強大的、清潔的真空系統,包括兩條磁懸浮渦輪高真空泵。此外,提供了一個雙階段電子光學列的中間室,從而維持高真空電子槍腔內的微分抽水。添加可選的滾動泵和液氮創建最終的無油真空系統。
軟x射線發射光譜儀(sx)
超高能量分辨率軟x射線發射光譜儀是由先進材料多學科研究所，日本東北大學和日本電子有限公司等聯合開發。可變線距(VLS)光柵可以同時檢測(EDS),并允許檢測Li-K常數與高靈敏度CCD光譜。這種光譜儀達到非常高的能量分辨率,支持詳細化學鍵的狀態分析。
顯微鏡使用 (相關顯微鏡)
通過x,y軸的坐標，可以把光學顯微鏡鎖定在你感興趣的位置，記錄并轉換成電子探針來對所選位置進行成像和分析。
主要參數
| 元素分析范圍 | WDS:（Be）B to U,EDS:B to U |
| X射線范圍 | WDS譜：0.087-9.3nm,EDS能譜：20keV |
| X射線光譜儀數量 | WDS：1-5可選,EDS：1 |
| 樣品最大尺寸 | 100mm*100mm*50mm(H) |
| 加速電壓 | 1-30Kv(每次0.1Kv) |
| 探針電流穩定性 | ±0.3%/h(10kV，50nA) |
| 二次電子圖像分辨率 | 3 nm at WD 11 mm, 30 kV |
20 nm at 10 kV, 10 nA, WD 11 mm 50 nm at 10 kV, 100 nA, WD 11 mm | |
| 放大倍數 | ×40 to ×300,000 (WD 11 mm) |
| 掃描圖像像素分辨率 | 最高5,120 × 3,840 |
400-6699-117 轉 6205
