X射線光電子能譜儀
上一篇 / 下一篇 2009-05-04 03:22:09/ 個人分類:儀器設備及其聯系
X射線光電子能譜儀
儀器名稱:X射線光電子能譜儀
產品型號:Kratos AXIS Ultra DLD
生產廠家:日本島津-KRATOS公司
儀器介紹:
Kratos AXIS Ultra DLD型號的X射線光電子能譜儀(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS),可使用單色化Al靶X射線源及雙陽極Al/Mg靶X射線源,包括大面積XPS,微區XPS及XPS平行成像,場發射俄歇電子能譜(Auger Electron Spectroscopy,AES);紫外光電子能譜(Ultra-violet electron Spectroscopy,UPS)。
Kratos AXIS Ultra DLD可以提供有關樣品表面和界面1-10nm的化學信息。可以一次全分析除氫、氦以外的所有原子百分比(at%)大于0.1%的元素,并可以對元素相對含量進行半定量分析(準確度約10%)。最具有特色的是可以測定元素的化學價態及化學環境的影響,并通過角度關系XPS (Angle-Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy,ARXPS)可以提供約10nm的無損深度剖析(non-destructive depth profiling);此外,Ar離子剝離法可以提供約100nm的有損深度剖析(destructive depth profiling)和樣品表面清潔。
主要特點:
1. 采用平均半徑165mm的半球型扇形能量分析器(Hemispherical Sector Analyzer,HSA)和180°球鏡能量分析器(Spherical Mirror Analyzer,SMA)。提高光電子的傳輸效率,增加能量分辨率。
2.羅蘭圓直徑500mm的大束斑Al單色X射線源和內置掃描板的多組元靜電透鏡。不移動X射線照射束斑和樣品,通過直接改變光電子的采集區域達到選區分析的目的。只要保證加在掃描板上的偏壓電路保持穩定,則采樣區域的重復就可以得到保證。
3.專利的磁沉浸透鏡和專利的低能電子荷電中和系統。由于大面積的X射線照射使得光電子發射相對分散,而且螺旋狀升降的電子云會全方位地補償荷電效應,從而可以在操作上只需設置一個“普適”的中和參數,就可以適用于99%以上的絕緣樣品。
4.采用了新一代的128通道的高效率檢測器——延遲線檢測器(Delay-Line Detector,DLD),使得該儀器可以超快速分析,實現收譜、成像、快拍(Snap Shot)功能。成像模式能夠提供256×256像素、空間分辨率小于3μm的二維圖像。
性能指標:
1.X射線源
- 靶:單色化Al靶、雙陽極Al/Mg靶
- 功率:450W(最大)
2.真空系統
- 樣品分析室(SAC):小于5×10-10 Torr(最低壓強)
- 樣品處理室(STC):小于5×10-9 Torr(最低壓強)
3.大面積XPS分析區域
- 單色器Al靶:700×300μm
- 雙陽極Al/Mg靶:2000×800μm
4.微區XPS分析區域
- 110μm,55μm,27μm和15μm
5.離子槍
- 離子源:Ar
- 束流:5μA(最大)
6.UPS
- 光源:He紫外光源
- He(I)/He(II)比例: 4:1
- 功率:30W(最大)
7.AES
- 電子槍:Schottky場發射
- 電子能量:10keV(最大)
技術參數:
1.XPS
- 能量分辨率:0.48eV/(Ag 3d5/2)
- 0.68eV/(C 1s)
- 最小分析區域(收譜) <15μm
- 靈敏度:大面積 11,800kcps;110μm 1,800kcps;27μm 100kcps
- 成像空間分辨率:小于3μm
- 能量分辨率:Ag表面費米邊在20%到80%結合能差不高于120meV
- 靈敏度:Ag 4d峰不低于1,000kcps
3.AES
- 靈敏度: 大于500kcps(10kV/5nA時Cu的LMM峰)
- 信噪比:500:1
4.SEM
- 分辨率:在10kV/5nA時優于100nm
- 在3kV/5nA時優于300nm
主要功能及應用領域:
主要用于固體材料的表面元素成份及價態的定性、半定量分析,固體表面元素組成的深度剖析及成像。可應用于金屬、無機材料、催化劑、聚合物、涂層材料礦石等各種材料的研究,以及腐蝕、摩擦、潤滑、粘接、催化、包覆、氧化等過程的研究。
主要附件:UPS、AES、SEM
送樣要求:
1.樣品分析面確保不受污染,可使用異丙醇,丙酮,正己烷,或三氯甲烷溶液(均為分析純)清洗以達到清潔要求。
2.使用玻璃制品(如表面皿、稱量瓶等)或者鋁箔盛放樣品,禁止直接使用塑料容器、塑料袋或紙袋,以免硅樹脂或纖維污染樣品表面。
3.制備或處理樣品時使用聚乙烯手套,禁止使用塑料手套和工具以免硅樹脂污染樣品表面。
放置地點:朝暉校區圖書館東一樓
聯系電話: 0571-88871096
Email:huanzhou@zjut.edu.cn
X射線光電子能譜分析(XPS)送樣須知
1.氫、氦元素不能檢測;
2.樣品要求:
(a) 無磁性;
(b) 無放射性;
(c) 無毒性;
(d) 無揮發性物質(如單質Na, K, S, P, Zn, Se, As, I, Te, Hg或者有機揮發物),避免對高真空系統造成污染;不大量放氣(尤其腐蝕性氣體);若含有高揮發性分子或者coating,請務必先自行烘烤抽除;
(e) 厚度小于2mm;
(f) 固體薄膜或塊狀固體樣品切割成面積大小為5mm×8 mm;
(g) 粉末樣品最好壓片(直徑小于8mm),如無法成形,粉末要研細,且不少于0.1g;
3.樣品處理注意事項:
(a) 樣品分析面確保不受污染,可使用異丙醇,丙酮,正己烷,或三氯甲烷溶液(均為分析純)清洗以達到清潔要求;
(b) 使用玻璃制品(如表面皿、稱量瓶等)或者鋁箔盛放樣品,禁止直接使用塑料容器、塑料袋或紙袋,以免硅樹脂或纖維污染樣品表面;
(c) 制備或處理樣品時使用聚乙烯手套,禁止使用塑料手套和工具以免硅樹脂污染樣品表面;
4.有關檢測結果的分析,中心提供分析軟件和手冊,指導用戶根據樣品情況自行處理。
5.送樣前請先根據樣品測試要求填好“XPS樣品信息登記表”,表格下載從中心網站表格下載處下載。
相關閱讀:
- X射線光電子能譜的原理及應用(XPS) (lifejourney, 2009-3-27)