WT-1000B 單點少子壽命測試儀

　　少子壽命是描述半導體 材料特征方程的基本參數之一,對器件特性的精確描述起著重要作用,特別是對以PN結為基本結構的器件,額外載流子的產生與復合在PN結的狀態轉換過程中起著決定性的作用,因而少子壽命是決定PN結型器件工作特性的關鍵材料參數之一。

　　太陽電池的轉換效率主要依賴于基區的少子壽命.少子壽命越長光照產生的過剩載流子越可能到達PN結,受PN結電場分離后對外產生光電流,同樣由于暗電流的降低可增加太陽電池的開路電壓,所以大部分生產商都在生產前檢驗原始材料的一些關鍵性參數,光伏工業生產中最常見的測試就是少子壽命的測試,通過對原始材料的壽命測量預測成品太陽電池的效率。

　　WT-1000B少子壽命測試儀采用微波光電導衰減法（ASTM國際標準-1535）的測試原理，提供低成本、快速、無接觸、無損傷的少數載流子壽命的測試，主要是通過904nm波長的激光激發出硅片,硅棒或硅錠體內的非平衡載流子，再通過微波反射的探測手段來測試少數載流子引起的電導率的變化，從而判斷該硅片,硅棒或硅錠的缺陷、沾污情況。該設備主要應用于硅棒，硅片的出廠、進廠檢查，生產工藝過程的沾污檢測等。特別是在太陽能領域，少子壽命將直接關系到成品電池的效率，是必備的檢測手段。

　　少子壽命測量儀可測量半導體的少子壽命。少子壽命值反映了太陽電池表面和基體對光生載流子的復合程度，即反映了光生載流子的利用程度。少子壽命是半導體晶體硅材料的一項關鍵性參數，它對晶體硅太陽能電池的光電轉換效率有重要的影響，可以說硅電池的轉化效率和少子壽命成正向相關對應關系。

　　少子壽命測量儀采用微波光電導衰減法（SEMI國際標準-1535）的測試原理，即通過激光激發出硅體內的非平衡載流子，再通過微波反射的探測手段來測試少數載流子引起的電導率的變化，從而計算出少子壽命值，為半導體提供低成本、快速、無接觸、無損傷的少數載流子壽命的測試。該儀器測量少子壽命的精度達到ns級，分辨率達1%，測試結果準確性好、重復性高，完全能滿足太陽能級硅電池的少子壽命測試。目前該方法是最受市場接受的少子壽命測試方法

主要特點：

• 適應低電阻率樣片的測試需要，最小樣品電阻率可達0.1ohmcm
• 全自動操作及數據處理
• 對太陽能級硅片，測試前一般不需鈍化處理
• 能夠測試單晶或多晶硅棒、片或硅錠
• 可以選擇測試樣品上任意位置
• 能提供專利的表面化學鈍化處理方法
• 對各道工序的樣品均可進行質量監控：

硅棒、切片的出廠、進廠檢查
擴散后的硅片
表面鍍膜后的硅片以及成品電池

　　
性能指標：

• 測試材料： 硅、鍺等
• 樣片電阻率范圍： 0.1 - 1000Wcm
• 激光波長： 904nm
• 光斑直徑： 10mm²
• 微波源： 可調頻率10.3GHz
• 少子壽命測試范圍： 100ns - 20ms
• 測試分辯率： 0.1%
• 測試時間： 30ms/數據點
• 可以提供單點或連續測試

主要應用：

　　材料的質量控制

• 硅片、棒的出廠、進廠檢查
• 硅片的重金屬沾污測試

　　工藝過程質量控制

• 生產過程中的硅片質量監測

氮化物鍍膜
金屬化
磷擴散