DLS-83D深能級瞬態譜儀

　　深能級瞬態譜（Deep Level Transient Spectroscopy）是半導體領域研究和檢測半導體雜質、缺陷深能級、界面態等的重要技術手段。根據半導體P-N 結、金-半接觸結構肖特基結的瞬態電容（△C～t）技術和深能級瞬態譜（DLTS）的發射率窗技術測量出的深能級瞬態譜，是一種具有很高檢測靈敏度的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質、缺陷的深能級及界面態。通過對樣品的溫度掃描，可以給出表征半導體禁帶范圍內的雜質、缺陷深能級及界面態隨溫度（即能量）分布的DLTS 譜。

　　DLS-83D集成多種全自動的測量模式及全面的數據分析，可以確定雜質的類型、含量以及隨深度的分布，也可用于光伏太陽能電池領域中，分析少子壽命和轉化效率衰減的關鍵性雜質元素和雜質元素的晶格占位，確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。該儀器測量界面態速度快，精度高，是生產和科研中可廣為應用的測試技術。

主要特點

• 探測靈敏度高
• 可直接求出界面態按能量的分布
• 可分別測定界面態能級和體內深能級
• 可分別測定俘獲截面與能量、溫度的關系

性能指標

• 溫度范圍：20K ~ 320K
• 溫度穩定性：0.1K
• 溫度精度：< 1K 或 1%
• 測試電容：1 ~ 10000pF
• 電容靈敏度：2*10^-5pF
• 相角穩定性：0.001°
• 檢測靈敏度：<1010atoms/cm³

應用領域

• 檢測Si、ZnO、GaN等半導體材料中微量雜質、缺陷的深能級及界面態。