化學吸附和物理吸附特性比較

化學吸附和物理吸附特性比較 

化學吸附和物理吸附都是因硅片表面的懸掛鍵吸附力場形成的。化學吸附的平衡距離比物理吸附的小。物理吸附的吸附熱一般僅為幾十J，而化學吸附的吸附熱為100～1000J，兩者相差甚遠。

化學吸附的特點是，雜質離子和硅片表面之間依靠化學鍵力結合，雜質離子和硅片表面原子力所達到的平衡距離極小，以至可以認為這些雜質離子已成為硅片整體的一部分。由于化學吸附力較強，所以比分子型物理吸附雜質難消除。特別是金、鉑等重金屬原子不容易和一般酸性溶液起化學反應，必須采用王水之類的腐蝕液使之形成絡合物溶于高純水中加以清除。 

物理吸附的特點是，雜質分子與硅表面的接觸通常是依靠靜電力來維持。結合力和分子型晶體結構的范德瓦爾斯引力一樣。這種引力較弱，且隨分子間距的增加很快減弱。所以這種力所涉及的范圍只有2～3?左右，要徹底清除這種雜質并不困難。