脈沖電暈氫等離子體370～1100 nm發射光譜分析

摘　要: 用CCD ( Charge Coupled Device) 光譜儀記錄并標識了脈沖電暈氫等離子體370～1100 nm 的發射光譜. 通過與非相對論修正的氫原子能級理論計算值和標準數據庫比較,巴耳末系測得5 條,帕邢系測得14 條. 其中包括帕邢系的821. 334 nm( ni = 99) ,821. 838 nm ( ni = 77) ,823. 651 nm( ni = 49) ,826. 709 nm( ni = 35) 和834. 655 nm( ni = 23) 等. 通過發射光譜線相對光強比較,656. 318 nm 處激發最強,其次為486.050 nm 和844. 524 nm ,激發最弱的為397. 133 nm.