半絕緣砷化鎵中本征缺陷的光學顯微研究

摘 要 本文利用光學顯微技術系統分析熱處理對液封直拉法生長的半絕緣砷化鎵（LEC
SI-GaAs）中本征缺陷的影響。實驗結果表明，晶體生長后的熱處理可以影響砷沉淀的
密度與分布。500℃熱處理對As 沉淀的密度無明顯影響；真空條件下，在850~930℃范圍內熱處理AB 腐蝕坑變淺，砷沉淀數量增加；真空條件下，高于1100℃熱處理后，砷沉淀幾乎消失。晶體中砷沉淀的密度會隨熱處理條件的不同而變化，本文對其機理進行探討。