二次離子質譜(SIMS) 分析技術及應用進展

　　二次離子質譜(S IM S) 比其他表面微區分析方法更靈敏。由于

　　應用了中性原子、液態金屬離子、多原子離子和激光一次束, 后電離

　　技術, 離子反射型飛行時間質量分析器, 離子延遲探測技術和計算

　　機圖像處理技術等, 使得新型的S IM S 的一次束能量提高到M eV ,

　　束斑至亞Lm, 質量分辨率達到15 000, 橫向和縱向分辨率小于0. 5

　　Lm 和5 nm , 探測限為ng?g, 能給出二維和三維圖像信息。S IM S 能

　　用于礦物、核物質、隕石和宇宙物質的半定量元素含量和同位素豐

　　度測定, 能鑒定出高揮發性、熱不穩定性的生物大分子, 能進行橫向

　　和縱向剖析, 能進行單顆粒物、團蔟、聚合物、微電子晶體、生物芯

　　片、生物細胞同位素標記和單核苷酸多肽性分型(SN P) 測定, 能觀測

　　出含有2 000 堿基對的脫氧核糖核酸(DNA ) 的準分子離子峰。以

　　S IM S 在同位素、顆粒物、大分子、生物等研究領域的應用為重點, 結

　　合實例, 對S IM S 儀器和技術進展進行了綜述