找不到引用BS EN 13604:2002 銅和銅合金.電子管、半導體器件和真空設備用高電導率銅的制品 的標準
半導體用超高純石墨 第三代功率半導體封裝用AMB陶瓷覆銅基板 高可靠性封裝的金錫合金 半導體芯片封裝導熱有機硅凝膠 半導體芯片封裝自粘接導熱硅橡膠 封裝基板用高解析度感光干膜及配套PET膜 封裝基板用高性能阻焊 封裝載板用電子化學品-閃蝕藥水 超高純化學試劑 集成電路用光刻膠及其關鍵原材料和配套試劑 特種氣體 超薄電子布 平板顯示用光刻膠及其關鍵原材料和配套試劑 I-線光敏型聚酰亞胺...
●第一代是用電子管和榫接電路元件制成的電子設備;●第二代是用半導體器件、小型榫接元件和印制布線制成的電子設備;●第三代是用經封裝了的集成電路和印制電路板制成的電子設備;●第四代是用高集成度的微型電路組件或模塊、多層電路板及HDI-PCB制成的電子設備;●第五代是在內藏無源元件(R、C、L)和有源芯片的基板上再貼裝復雜的SoC、SiP、MCM等系統芯片包構成的新封裝。...
在鋁刻蝕步中,淀積在場氧化層上的TW被從表面去除。有時,在TW淀積之前,在暴露的硅上面形成第一層硅化鉑。可以用所有的淀積技術將氨化鈦層放置在品圓表面,如蒸發、射和CVD。還能用在氙氣或氨氣中,在600℃形成鈦的熱氨化層。CVD氮化鈦層有良好的臺階覆蓋,并能填充亞微米接觸孔。在TN膜下要求有一層鈦,目的是和硅襯底之間提供一個高的電導率中間層。用銅金屬化時,阻擋層也是關鍵。在硅中的銅會毀壞器件的性能。...
精細的電子能帶結構計算與實驗表征證明,銅上雙層石墨烯具有Janus雙面各異的摻雜機制:底層石墨烯與銅具有更多的電荷轉移和更強的相互作用,導致腐蝕性分子的界面擴散更加困難;而頂層石墨烯則幾乎未被摻雜而接近電中性,有效抑制了表面電化學反應的發生。該技術有望為銅在氧化環境中的集成化應用開辟道路,也為下一代電子器件和光電器件的微型化提供了新的機遇。參考文獻:M. Z. Zhao, Z. J....
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