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與 IEC 60747-1、IEC 62007-1、IEC 62007-2 一起閱讀
氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶半導體,第三代半導體的典型代表。與第一代半導體硅基的器件相比,GaN器件具有更高耐壓、更快開關頻率、更小導通電阻等特性,在功率電子器件領域得到廣泛應用。相關研究顯示,GaN器件適用于68%的功率器件市場;在功率轉換電路中應用GaN器件可消除整流器在進行交直流轉換時90...
由中國電子學會半導體與集成技術分會、電子材料分會主辦,中國科學院半導體研究所等單位承辦的“第十八屆全國化合物半導體材料、微波器件和光電器件學術會議”正在福建省廈門市召開。這是每兩年舉行一次的全國性重大學術會議,牛津儀器受邀參加這次會議,并做會議報告,熱忱歡迎本領域廣大專家學者和科研人員來我們展位交流...
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