ASTM F1892-98
半導體器件電離輻射(總劑量)效應試驗的標準指南

Standard Guide for Ionizing Radiation (Total Dose) Effects Testing of Semiconductor Devices

被代替

標準號

ASTM F1892-98

發布

1998年

發布單位

美國材料與試驗協會

替代標準

ASTM F1892-04

當前最新

ASTM F1892-12(2018)

 

 

適用范圍

1.1 本指南介紹了建立適當的測試順序和數據分析程序的背景和指南，以確定劑量率低于 300 rd(SiO2)/s 的微電子設備的電離輻射（總劑量）利用情況。這些測試和分析將有助于確定被測設備滿足特定硬度要求的能力，或評估在一系列輻射環境中使用的部件。
1.2 所提出的方法和指南將適用于硅基 MOS 和雙極分立器件和集成電路的表征、鑒定和批量驗收。它們適用于治療電子和光子照射的影響。
1.3 本指南提供了一個框架，用于根據待測零件的一般特性以及這些零件的輻射硬度要求或目標來選擇測試順序。
1.4 本指南提供了最小化測試方法的保守性和最小化所需測試工作之間的權衡。
1.5 確定有效且經濟的硬度測試通常需要多種決策。通常必須做出的決策的部分列舉如下：
1.5.1 確定是否需要執行器件表征——對于某些情況，采用某種不需要器件表征的最壞情況測試方案可能更合適。對于其他情況，確定劑量率對設備輻射靈敏度的影響可能是最有效的。必要時，還必須確定這種特征的適當詳細程度。
1.5.2 確定最小化輻照劑量率對測試結果影響的有效策略——某些類型的設備的輻射測試結果對測試中施加的輻射劑量率相對不敏感。相比之下，許多 MOS 器件和一些雙極器件對劑量率具有顯著的敏感性。將討論管理測試結果的劑量率敏感性的幾種不同策略。
1.5.3 有效測試方法的選擇——將討論有效測試方法的選擇。
1.6 低劑量要求——當所需硬度為 100 rd(SiO2) 或更低時，無需出于鑒定或批次驗收目的對 MOS 和雙極微電子器件進行硬度測試。
1.7 源 - 本指南將涵蓋使用光子源（例如 60Co y 輻照器、137Cs y 輻照器和低能量（約 10 keV）X 射線源）輻照的設備測試所產生的影響。有時也會使用其他測試輻射源，例如直線加速器、范德格拉夫源、Dymnamitron、SEM 和閃光 X 射線源，但不屬于本指南的范圍。
1.8 位移損壞效應也不屬于本指南的討論范圍。
1.9 以 SI 單位表示的數值應被視為標準。

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