美國麻省理工學院：太赫茲石墨烯器件研制成功
【導讀】美國麻省理工學院研究人員在兩片鐵電材料之間夾入高遷移率石墨烯薄膜，實現可直接在光信號上操作的太赫茲級頻率芯片。受鐵電柵級存儲器和晶體管工作機理的啟發，麻省理工學院研究人員為改善器件性能，向夾層中其中加入了石墨烯材料。
日前，據國外媒體報道，美國麻省理工學院研究人員在兩片鐵電材料之間夾入高遷移率石墨烯薄膜，實現可直接在光信號上操作的太赫茲級頻率芯片。麻省理工學院預計，新材料堆棧將使目前存儲器的存儲密度提高10倍，制造出直接在光信號上操作的電子器件號。研究人員表示“我們的工作開辟了光信號發射和處理的新領域。”
受鐵電柵級存儲器和晶體管工作機理的啟發，麻省理工學院研究人員為改善器件性能，向夾層中其中加入了石墨烯材料。當特征化混合器件時，他們發現石墨烯中的二維等離子體結構能與鐵電材料中的聲子極化基元形成強耦合。這使該器件能以極低功耗工作于太赫茲頻率。研究人員預測：利用鐵電存儲器效應，該新器件能以極低功率實現等離子體波導。該器件也為光電信號相互轉換提供了新方式，并有望使此類器件的密度提高10倍。
據悉，該項目資金由美國國家科學基金會和空軍科學研究辦公室提供。其產品一方面將用于空軍的裝備上，同時也會商品化，用以提高目前已在使用的相關電子器件的技術水平。
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