半導體集成電路的分類概述

　　集成電路如果以構成它的電路基礎的晶體管來區分，有雙極型集成電路和MOS集成電路兩類。前者以雙極結型平面晶體管為主要器件（如圖2），后者以MOS場效應晶體管為基礎。圖3表示了典型的硅柵N溝道MOS集成電路的制造工藝過程。一般說來，雙極型集成電路優點是速度比較快，缺點是集成度較低,功耗較大；而MOS集成電路則由于MOS器件的自身隔離，工藝較簡單，集成度較高,功耗較低，缺點是速度較慢。近來在發揮各自優勢，克服自身缺點的發展中，已出現了各種新的器件和電路結構。

　　集成電路按電路功能分，可以有以門電路為基礎的數學邏輯電路和以放大器為基礎的線性電路。后者由于半導體襯底和工作元件之間存在著有害的相互作用，發展較前者慢。同時應用于微波的微波集成電路和從Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體激光器和光纖維導管為基礎的光集成電路也正在發展之中。

　　半導體集成電路除以硅為基礎的材料外，砷化鎵也是重要的材料，以它為基礎材料制成的集成電路，其工作速度可比硅集成電路高一個數量級，有著廣闊的發展前景。