掃描電子顯微鏡（SEM）和電子探針顯微分析裝置（EPMA）
掃描電子顯微鏡和電子探針顯微分析儀基本原理相同，但很多人分不清其差異，實際上需要使用電子探針領域比較少，而掃描電鏡相對普遍。
掃描電子顯微鏡（SEM），主要用于固體物質表面電子顯微高分辨成像，接配電子顯微分析附件，可做相應的特征信號分析。 最常用的分析信號是聚焦電子束和樣品相互作用區發射出的元素特征X-射線，可用EDS（X-射線能譜儀）或者WDS（X-射線波譜儀）進行探測分析，獲得微區（作用區）元素成分信息，而WDS這個電子顯微分析附件卻來源于EPMA。另外一個重要信號是背散射電子（Bse），其中高能Bse還可作為晶體衍射信號,使用EBSD裝置獲取微區晶體結構取向信息，EBSD自1990年代發展以來，近20年應用發展迅速。
SEM作為一個電子顯微分析平臺，分析附件可根據用戶需要來選配，有需要這個的，有需要那個的，因此掃描電鏡結構種類具有多樣性，從tiny、small、little style，to middle、large、huge style. ?
商品化EPMA產生于1955年左右，比SEM商品化提前10年，其主要目的是要精確獲得微米尺度晶粒或顆粒的成分信息，利用電子束樣品作用區發射的特征X射線，使用探測分析手段是WDS，一般配置4道WDS，中心對稱布置在電子束周圍，基于此標配，EPMA結構比較單一，各品牌型號結構差距不大。
EMPA主要追求微區化學定量結果精準，因此電子光學分辨率設計相對寬松，電子顯微分析對匯聚束束電流要求較大，束斑較粗。
早期EPMA成像手段主要采用同軸光學顯微鏡，然后移動樣品臺或移動匯聚電子束，找到感興趣區，當前依然保留同軸光鏡，用來校準WD。EMPA對電子光學系統工作條件的穩定性要求超過SEM很多很多，控制系統增加了一些負反饋機制，確保分析條件和標樣分析保持很小的誤差。
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