禁帶寬度不是越小越好嗎
禁帶寬度對于半導體器件性能的影響非常大，它直接決定著器件的耐壓和最高工作溫度；比如氮化鎵禁帶寬度很大，即便高溫價帶電子也很難吸收大于Eg的熱輻射的能量跳變到導帶，這樣就能繼續發揮半導體作用，同理因為躍遷能量較大，所以GaN更難被擊穿，因此常用作高壓耐高溫器件，也有很高的抗輻射性能。
另一方面，通過摻雜調節禁帶寬度可以制作高電子遷移率晶體管（HEMT，High Electron Mobility Transistor）。這種器件及其集成電路都能夠工作于超高頻（毫米波）、超高速領域，原因就在于它采用了異質結及其中的具有很高遷移率的所謂二維電子氣來工作的；而高遷移率的原因部分在于禁帶寬度不同的半導體組成異質結。
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