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    • TOF-qSIMS 飛行時間二次離子質譜儀TOF-SIMS
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    TOF-qSIMS 飛行時間二次離子質譜儀TOF-SIMS

    參考報價：面議 品牌：Hiden 產地：英國 型號：TOF-qSIMS 樣本：來電或留言獲取樣本
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    • TOF-qSIMS飛行時間二次離子質譜儀TOF-SIMS價格？ 可以檢測什么？
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    產品賣點

    一臺SIMS同時提供四極桿質譜和飛行時間質譜；用于多種材料的表面分析和深度剖析應用；檢測限低于1ppm。

    產品介紹

    Hiden TOF-qSIMS 飛行時間二次離子質譜工作站設計用于多種材料的表面分析和深度剖析應用，包括聚合物，藥物，超導體，半導體，合金，光學和功能涂層以及電介質，檢測限低于1ppm。

    TOF-qSIMS Workstation 包含了四極桿質譜和飛行時間質譜。

    四極桿qSIMS主要用于摻雜物深度剖析和薄層分析，低入射能力，高入射電流，濺射和分析連續進行，是典型的Dynamic SIMS 動態SIMS。


    飛行時間二次離子質譜TOF-SIMS使用飛行時間質譜，質量數范圍寬，質量分辨率高，且測量速度快（瞬間得到全譜）。離子槍僅需要一次脈沖濺射，即可得到全譜，對表面幾乎無破壞作用。因脈沖模式分析，且電流小，所以產生的二次離子比率相對少，靈敏度相比動態SIMS弱，但成像和表面分析能力強，是典型的Stactic SIMS 靜態SIMS。

    TOF-qSIMS workstation 綜合了Quadrupole SIMS 和 TOF-SIMS的優點，可以分析所有的導體、半導體、絕緣材料；對硅、高k、硅鍺以及III-V族化合物等復合材料的薄層提供超淺深度剖析、痕量元素和組分測量等一系列擴展功能。對于材料/產品表面成分及分布，表面添加組分、雜質組分、表面多層結構/鍍膜成分、表面異物殘留（污染物、顆粒物、腐蝕物等）、表面痕量摻雜、表面改性、表面缺陷（劃痕、凸起）等有很好的表征能力。

     

    一臺SIMS同時提供四極桿質譜和飛行時間質譜

    靜態SIMS  Static SIMS

    動態SIMS  Dynamic SIMS

    Ar+, O2+, Cs+, Ga+ 等多種離子槍

    樣品 3D成像分析

    檢測限低于ppm

    SNMS 離子源，二次中性粒子譜

    二次離子質譜成像軟件，靜態二次離子質譜圖庫，二次離子質譜后處理軟件

    TOF-qSIMS 飛行時間二次離子質譜儀TOF-SIMS由北京英格海德分析技術有限公司 為您提供，如您想了解更多關于TOF-qSIMS 飛行時間二次離子質譜儀TOF-SIMS報價、參數等信息 ，歡迎來電或留言咨詢。

    注：該產品未在中華人民共和國食品藥品監督管理部門申請醫療器械注冊和備案，不可用于臨床診斷或治療等相關用途。

    常見問題

    TOF-qSIMS飛行時間二次離子質譜儀TOF-SIMS價格？

    TOF-qSIMS飛行時間二次離子質譜儀TOF-SIMS可以檢測什么？

    TOF-qSIMS飛行時間二次離子質譜儀TOF-SIMS參數規格？

    TOF-qSIMS飛行時間二次離子質譜儀TOF-SIMS配套的耗材試劑？

    TOF-qSIMS飛行時間二次離子質譜儀TOF-SIMS操作規程？

    TOF-qSIMS飛行時間二次離子質譜儀TOF-SIMS使用注意事項？

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